據《Tom’s Hardware》1月19日報導，英特爾首席執行官派特‧基辛格（Pat Gelsinger）認為，美、日、荷對中國半導體實施的制裁，目前已限制中國7納米以上的技術發展。雖然中共將繼續發展其半導體實力，並在國內設計更先進的芯片製造設備，但終將保持落後全球半導體行業大約10年的狀態。
「最近出臺的出口政策，我們看到荷蘭、美國、日本的政策，在某種程度上為中國半導體行業設定了10到7納米的底線，」基辛格在瑞士達沃斯世界經濟論壇上說。「我們正在競爭低於2納米，接下去是1.5納米，這樣的競爭看不到盡頭。」
目前，中國芯片代工指標中芯國際雖擁有能用於智慧手機的7納米級處理器技術，但仍比台積電和三星落後約五年半。與此同時，上海華立微電子股份有限公司（HLMC）於2020年開始，在14納米的基礎上嘗試生產芯片，這也代表它現在落後台積電9到10年。
此外，中芯國際和HLMC都使用荷蘭、日本、韓國、臺灣和美國生產的設備，以及來自日本的純原料。若無法獲得這些設備，中國企業只能自行研發芯片廠的設備和技術。
根據基辛格的說法，目前中國半導體產業落後全球約10年，雖然它們會發展，但在可預見的未來，這樣的差距將保持不變。
「這並不是說中國不會繼續創新，但這是一個高度關聯的行業，」基辛格說。「蔡司的鏡片、艾司摩爾（ASML）的設備組裝、日本的化學品和抗蝕劑、英特爾的製造模組，所有這些加在一起，我認為這是一個10年的差距，且將持續下去。」
基辛格在達沃斯世界論壇發言之際，英特爾位於德國馬格德堡（Magdeburg）附近的芯片廠，也將成為全球最先進的半導體生產設施。該廠將使用後18A工藝技術加工芯片，並將達到1.5納米水平，為英特爾及客戶代工生產產品。
現代半導體工藝技術，除需要全球行業的密切合作、大量的基礎研究，以及數千億美元的研發費用。中共是否能夠獨自應對這一切，還有待觀察。
