路透5月14日報導，此前，有知情人表示，臺積電宣佈在美國亞利桑那州興建晶圓廠之後，其在當地規劃的晶圓廠數量多達6座，當時，臺積電錶示，不回應市場傳聞。
而今又傳出消息稱，在這6座即將興建的晶圓廠當中，除了已經決定興建的月產能2萬片5納米製程晶圓廠之外，目前正在考慮是否興建3奈米製程晶圓廠，而3納米芯片效能更好、耗能更低。
報導說，先前設立5納米晶圓廠的投資金額預計在100到120億美元之間，而一旦確定興建3納米晶圓廠，投資金額預估將會在230到250億美元之間。
報導還說，臺積電在美國興建晶圓廠的計劃，將會與英特爾及三星兩家競爭對手競爭美國政府的經費補貼計劃。
4月12日，美國總統拜登在有關芯片短缺問題的會議上，呼籲兩黨共同努力，加強美國國內的半導體產業。拜登提出的2.3萬億美元基建計劃就包括爲美國半導體產業提供500億美元的舉措。
美國拜登政府呼籲國會儘速通過其 500 億美元預算案，以補貼美國境內芯片生產企業。
外界預計，美國參議院最快可在下週進行處理。相關市場人士認爲，在美國積極規劃於境內生產芯片的政策下，預計臺積電未來也會研討在美國設立 2 納米甚至更先進製程生產線的計劃。
美國擁有非常先進而強大的芯片企業，如高通、輝達等公司，這些公司也是整個半導體市場的主導者。不過，這些公司只負責設計芯片，其生產則大多數委託亞洲代工廠完成。
