路透5月14日報導,此前,有知情人表示,臺積電宣佈在美國亞利桑那州興建晶圓廠之後,其在當地規劃的晶圓廠數量多達6座,當時,臺積電錶示,不回應市場傳聞。
而今又傳出消息稱,在這6座即將興建的晶圓廠當中,除了已經決定興建的月產能2萬片5納米製程晶圓廠之外,目前正在考慮是否興建3奈米製程晶圓廠,而3納米芯片效能更好、耗能更低。
報導說,先前設立5納米晶圓廠的投資金額預計在100到120億美元之間,而一旦確定興建3納米晶圓廠,投資金額預估將會在230到250億美元之間。
報導還說,臺積電在美國興建晶圓廠的計劃,將會與英特爾及三星兩家競爭對手競爭美國政府的經費補貼計劃。
4月12日,美國總統拜登在有關芯片短缺問題的會議上,呼籲兩黨共同努力,加強美國國內的半導體產業。拜登提出的2.3萬億美元基建計劃就包括爲美國半導體產業提供500億美元的舉措。
美國拜登政府呼籲國會儘速通過其 500 億美元預算案,以補貼美國境內芯片生產企業。
外界預計,美國參議院最快可在下週進行處理。相關市場人士認爲,在美國積極規劃於境內生產芯片的政策下,預計臺積電未來也會研討在美國設立 2 納米甚至更先進製程生產線的計劃。
美國擁有非常先進而強大的芯片企業,如高通、輝達等公司,這些公司也是整個半導體市場的主導者。不過,這些公司只負責設計芯片,其生產則大多數委託亞洲代工廠完成。