【臺灣】挖角竊密投資中國 聯電被起訴

2017-09-07|来源: 自由時報

美光公司離職員工涉竊取技術機密跳槽聯電遭提告,檢方認為聯電公司防止侵害他人營業秘密「只做表面工夫」,是此案共犯,依違反營業秘密法一併起訴。

中國為發展半導體產業不擇手段挖角、竊密,沒想到此歪風也吹到臺灣。與中國福建省晉華科技合作設廠的聯電公司,被指控防止侵害他人營業秘密「只做表面工夫」,導致記憶體大廠美光公司技術機密遭聯電協理戎樂天、美光前整合部課長何建廷、品質工程部副理王永銘盜取,三人及聯電公司昨都被臺中地檢署依違反營業秘密法等罪嫌起訴。

聯電昨表示,該公司對營業秘密的維護一向不遺餘力,客觀上已符合現行實務避免侵害他人營業秘密的措施;檢方對此案的認定標準是否符合現行實務,尚待法院依法檢驗,聯電將配合司法程序,維護公司權益。

美光員工攜機密跳槽與聯電主管同被起訴

美商美光科技是在今年二月提告,指控技術機密遭離職員工竊取,臺中地檢署偵辦發現,聯電為了與中國晉華科技合作生產32奈米DRAM,陸續向已在二○一三年併購中科瑞晶公司的美光公司開出三倍薪資挖角,包括原為瑞晶員工的何建廷、王永銘。

何建廷二○一五年十一月跳槽聯電後,得知聯電正推動32奈米DRAM製程技術,竟複製在美光工作期間擁有或掌控的機密文件、檔案,然後帶到聯電南科辦公室及其宿舍;起訴書指出,何與臺灣美光簽有「聘僱契約」、「保密及使用著作財產權相關合約」,此舉已侵犯相關保密條款。

防侵害他人營業秘密

檢指聯電做表面工夫

王永銘則是在去年四月提出辭呈到四月廿六日正式離職間,濫用其品質工程部副理職權,輸入帳號及密碼,大量讀取美光有關DRAM製造方法、技術等營業秘密及著作,檔案多達九三一個。

王永銘和聯電協理戎樂天研究、商討這些資料後,讓聯電與晉華在短短兩個月就順利開發出32奈米DRAM的設計規劃,省下難以計數的人力、時間、設備及技術成本,王今年元旦並因此獲拔擢為經理。

美光發現機密被盜後提告,檢調前往南科搜索何、王辦公室等處所,戎樂天還秘密通知二人刪除、藏匿相關資料,叫一名黃姓職員(涉藏匿刑事證據罪,獲緩起訴處分)藏在櫃子裡。

聯電:配合司法程序

檢方認定待法院檢驗

被告到案辯稱,資料都是供個人研究用,戎某稱只是要他們提供研究意見,聯電則辯稱有請新員工承諾不得將前雇主之機密資料帶過來,並提供智慧財產權相關法令課程。檢察官認為,聯電只做表面工夫,並未積極防止侵害他人營業秘密之作為,聯電也是此案共犯,與何建廷等人一併起訴。

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